采用MSP430FG4616单片机与模数转换器实现心电图机系统的设计
2024-08-01十二导联同步心电图机，广泛应用于医院、疾病防控中心等卫生医疗保健机构，十二导联同步心电图机的厂家很多，应用广泛，各种产品之间的差别也比较大。心电图检查技术在心血管病的医疗防治和科研中具有独特的作用，目前在医疗中广泛使用的是单导联或十二导联非同步心电图机，在少数较大医院中使用的十二导联同步检查心电图机均为国外进口或国外产品在国内组装，目前尚无国产的十二导联同步检查的心电图机。根据目前的微电子、单片机和计算机技术成功研制出一种便携式心电图机，它可通过液晶显示器显示心电图，同时将数据在计算机上显示并
苹果会采用台积电5纳米A14处理器吗？
2024-07-24据消息人士称，TSMC 5纳米EUV工艺的A14样品已于9月底交付给苹果公司，可能在2020年用于新型号。此前有消息透露，TSMC的5纳米工艺比竞争对手的性能高得多，受到许多大型工厂的青睐。如果明年新的苹果手机采用TSMC的5纳米工艺也就不足为奇了，预计5纳米可能会再次减少A14处理器的裸芯片面积，解决功耗问题。然而，也有意见认为，如果A14直接采用5纳米工艺，可能会再次抬高成本，目前的产能和产量仍不确定，因此目前无法保证苹果的下一代单片机会直接采用最先进的工艺技术。。A14还应该保留在6纳米
采用电容降压时应注意的几点
2024-06-101、根据负载的电流大小和交流电的工作频率选取适当的电容，而不是依据负载的电压和功率。 2、限流电容必须采用无极性电容，绝对不能采用电解电容。而且电容的耐压须在400V以上。最理想的电容为铁壳油浸电容。 3、电容降压不能用于大功率条件，因为不安全。 4、电容降压不适合动态负载条件。 5、同样，电容降压不适合容性和感性负载。 6、当需要直流工作时，尽量采用半波整流。不建议采用桥式整流。而且要满足恒定负载的条件。 电路一 这一类的电路通常用于低成本取得非隔离的小电流电源。它的输出电压通常可在几伏到三
采用增加滤波器的方法来减少单片机噪声干扰
2024-06-10在电路板中，许多因素会增加“噪声（EMI/RFI）”干扰，从而可能损坏或干扰电子设备的功能。单片机如果受到噪声干扰，可能会导致单片机的程序出错，甚至引起事故发生。今天的汽车就是一个很好的例子，比如Wi-Fi、蓝牙、卫星无线电、GPS系统等等。为了减少这种噪声干扰，业界通常使用屏蔽罩和EMI滤波器来消除有害噪声。 但是现在，消除EMI/RFI的一些传统解决方案已不再足够。当电子设备接收到强大的电磁波时，电路中可能会感应到有害电流，从而导致意外操作或干扰预期的操作。EMI/RFI可以传导或辐射的形
台积电考虑在德国建晶圆厂采用合资模式
2024-05-084月14日据外媒消息，台积电计划在欧洲建厂的消息近日再度被传出并考虑采用合资模式。据知情人士透露，台积电将采用合资模式，并有可能选择德国作为其在欧洲的首座晶圆厂。此前，台积电已经宣布在美国和日本分别建设工厂。 在2011年，台积电已经在上海等地建立了晶圆代工厂，成为备受关注的亚洲芯片代工厂之一。而在2021年11月，台积电与索尼半导体解决方案公司在日本熊本县设立名为“日本先进半导体制造股份公司”的合资公司，计划投资70亿美元建设一座晶圆代工厂。同时，在次年2月份，台积电还宣布了日本电装公司入股
韩华VisioNexT与三星合作
2024-03-2512月8日，三星电子与韩华集团子公司VisioNexT达成合作，以扩大其4nm代工客户群。据悉，VisioNexT将向三星下订单生产4nm人工智能（AI）芯片，此举旨在为视觉AI领域带来突破。预计该芯片将于2024年上半年投产。 VisioNexT是一家专注于CCTV（闭路电视）监控摄像头芯片的IC设计公司，并已委托三星的代工厂进行制造。此次合作将包括在高性能AI半导体设计和工艺研发方面进行多年准备。通过与三星的合作，VisioNexT旨在成为第1家将视觉AI半导体导入4nm的公司。三星的4n
英飞凌采用TOLL封装650V SiC MOSFET
2024-02-13英飞凌采用TO无引线(TOLL)封装，开发出一款新型SiC Cool SiC MOSFET 650V。据称，该器件经过优化，在服务器SMPS、电信基础设施、储能系统、电池化成解决方案等应用中，其损耗低、可靠性高、易用性强。 Cool SiC 650V沟槽式功率SiC MOSFET拥有多种选择，可满足不同的应用。新系列采用符合JEDEC标准的TOLL封装，寄生电感低，从而可实现高开关频率、低开关损耗、良好热管理和自动化组装。 英飞凌表示，外形尺寸紧凑能有效利用电路板空间，使系统设计人员实现卓越的
2000VSiCM1H芯片半桥模块
2024-02-06新品 采用2000V SiC M1H芯片的 62mm半桥模块，最大规格2.6mΩ 2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市，有2.6mΩ和3.5mΩ两种规格。由于采用了M1H芯片技术，模块在 VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。 这些模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。 相关产品： ▪️ FF3MR20KM1H(P) 2.6mΩ， 2000V 62mm半桥模块 ▪️ FF4MR20KM1H(P) 3.5mΩ， 2000V 6
Microchip FPGA 和 SoC 解决方案协议栈加速
2024-02-05为智能边缘设计系统正面临前所未有的困难。市场窗口在缩小，新设计的成本和风险在上升，温度限制和可靠性成为双重优先事项，而对全生命周期安全性的需求也在不断增长。要满足这些同时出现的需求，需要即时掌握特殊技术和垂直市场的专业知识。没有时间从头开始。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布在其不断增长的中端FPGA和片上系统（SoC）支持系列产品中增加了九个新的技术和特定应用解决方案协议栈，涵盖工业边缘、智能嵌入式视觉和边缘通信。 Microchip FPGA业务